時間：民國 97年9月23日（星期二）09:45 ~ 14:00
地點：台中中科管理局行政大樓 4F 402會議室
議 程
●專題演講簡介：
1. ICP電漿源輔鍍技術
一般應用在光學輔鍍的, 我們稱之為 "離子源", 會需要使用到燈絲或中和器, 兩者每年都需要耗費相當的耗材成本, 同時離子源會有中和不均勻的現象, 易在產品表面產生arcing, 另有轟擊力量大及產生溫度過高的缺點; 本次將介紹的電漿源是首次將半導體級的電漿技術引用到精密光學領域, 中性電漿進行輔鍍, 除了沒有arcing疑慮外, ICP原理的超高電漿密度更可有效控制轟擊力道並產生較低的工作溫度, 也很適合塑膠基材的鍍膜應用, 另可直接通入純氧進行反應製程, 更高解離率的氧電漿, 會有更好的反應效率, 特別是幾無耗材需求, 有效節省成本.
2. 原子層3D鍍膜技術
原子層鍍膜(Atomic Layer Deposition, ALD)是未來半導體45奈米以下製程所必須的生產利器, 它是一種類似化學氣相沉積(CVD)的製程, 但可達到更緻密且覆蓋率更佳的要求, 3D鍍膜技術更是其獨一無二的特色, 我們希望這項技術能應用在3D光學產品的製程上, 為傳統光學產業注入一活水.
地點：台中中科管理局行政大樓 4F 402會議室
(407台中市西屯區中科路2號 TEL:04-25658588 )
議 程
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時程
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內容
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報告/主持人
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09:45 ~ 10:00
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簽到
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10:00 ~ 11:00
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ICP電漿源輔鍍技術在精密光學的應用(含Q&A)
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Dr. Manfred Weiler/ CCR Technology GmbH, Germany
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11:00 ~ 12:00
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原子層3D鍍膜技術在精密光學的應用(含Q&A)
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Dr. Jarmo Skarp/ Beneq Oy, Finland
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12:00 ~ 13:00
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午餐及自由交流～
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13:00 ~ 14:00
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秘書處會務報告及討論
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鄭陳欽經理
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●專題演講簡介：
1. ICP電漿源輔鍍技術
一般應用在光學輔鍍的, 我們稱之為 "離子源", 會需要使用到燈絲或中和器, 兩者每年都需要耗費相當的耗材成本, 同時離子源會有中和不均勻的現象, 易在產品表面產生arcing, 另有轟擊力量大及產生溫度過高的缺點; 本次將介紹的電漿源是首次將半導體級的電漿技術引用到精密光學領域, 中性電漿進行輔鍍, 除了沒有arcing疑慮外, ICP原理的超高電漿密度更可有效控制轟擊力道並產生較低的工作溫度, 也很適合塑膠基材的鍍膜應用, 另可直接通入純氧進行反應製程, 更高解離率的氧電漿, 會有更好的反應效率, 特別是幾無耗材需求, 有效節省成本.
2. 原子層3D鍍膜技術
原子層鍍膜(Atomic Layer Deposition, ALD)是未來半導體45奈米以下製程所必須的生產利器, 它是一種類似化學氣相沉積(CVD)的製程, 但可達到更緻密且覆蓋率更佳的要求, 3D鍍膜技術更是其獨一無二的特色, 我們希望這項技術能應用在3D光學產品的製程上, 為傳統光學產業注入一活水.